鉻靶在半導體電子等領域的應用優缺點分析

鉻靶材料的技術發展趨勢與下游應用行業薄膜技術的發展趨勢密切相關。 隨著應用行業中薄膜產品或組件技術的進步，鉻靶目標技術也應隨之改變。

微電子領域：在所有應用行業中，半導體行業對目標濺射膜鉻靶的質量要求較為嚴格。 現在，已經制造出12英寸（300插槽）的硅晶片。 但是，互連線的寬度正在減小。鉻靶價格、鉻靶批發制造商對鉻靶的要求是大尺寸，高純度，低偏析和細晶粒，這要求所制造的鉻靶具有更好的微觀結構。 鉻靶的結晶粒徑和均勻性被認為是影響膜沉積速率的關鍵因素。 另外，薄膜的純度與靶材的純度有很大的關系。 

過去，純度為99.995％（4N5）的銅靶材可以滿足鉻靶價格、鉻靶批發制造商對0.35pm工藝的需求，但不能滿足當前0.25um工藝要求。 對于0.18um技術甚至0.13m工藝，要求的目標純度須達到5甚至6N或更高。 與鋁相比，銅具有更高的耐電遷移性和較低的電阻率。

鉻靶導體技術需要低于0.25um的亞微米布線，但帶來了其他問題：銅與有機介電材料之間的粘合強度低。 而且它很容易反應，導致芯片的銅互連在使用過程中被腐蝕和斷開。 為了解決這些問題，需要在銅和電介質層之間設置阻擋層。 阻擋層材料通常使用具有高熔點和高電阻率的金屬及其化合物。

鉻靶生產廠家告訴你，勢壘層的厚度要求小于50nm，并且對銅和電介質材料的粘附性能良好。 銅互連和鋁互連的阻擋層材料不同。 需要開發新的目標材料。 銅互連阻擋層的目標材料包括Ta，W，TaSi，WSi等。但是Ta和W都是難熔金屬。 生產相對困難。 如今，正在研究鉬，鉻靶等作為替代材料。

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